广东致能团队全球首创硅衬底上垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道（2DEG）的直接外延生长方法，制备出低位错密度的氮化镓鳍状结构，设计自由度高。基于此，研制出全球首个具有垂直二维电子气沟道的常开型器件及阈值电压可调的常关型器件。在工艺集成上，通过特定工艺实现全垂直电极结构布局，提升散热效率，且量产可行性高，为器件微缩和大电流性能迭代提供了空间。

（左图：x-SEM 结构；右图：剥离硅衬底）

左图为广东致能成功研发全球首个垂直二维电子气氮化镓功率器件架构（生长用硅衬底尚未去除），右图展示的是去除硅衬底后的垂直氮化镓器件晶圆，观察面为原硅衬底面。以这一创新架构和工艺为核心，广东致能在国内外广泛布局核心知识产权，构建了完整的专利体系，形成了坚固的技术壁垒。基于在材料外延、结构设计和工艺集成等方面的持续创新，该垂直氮化镓功率器件平台有望成为下一代高性能氮化镓功率器件的关键技术路径。

充电头网总结

在本届ICNS会议上，广东致能展示了硅基垂直氮化镓功率器件的突破性成果。该团队首创硅衬底上垂直GaN/AlGaN异质结构及垂直二维电子气沟道的外延生长方法，研制出全球首个垂直二维电子气氮化镓功率器件，解决传统横向结构器件的性能瓶颈，提升散热效率且可实现量产。公司已布局多项核心知识产权，形成完整专利组合。这一创新将成为下一代高压、高功率氮化镓的关键技术突破，有望推动功率半导体产业升级。

广东致能半导体有限公司成立于2018年12月，公司总部位于深圳，在徐州、深圳、广州、上海等地设有研发基地和市场销售中心。公司致力于第三代半导体氮化镓功率器件的研发与产业化。公司由具有20多年半导体研发经验的海外归国专家领衔创立，集合了国内外半导体器件设计制造领域的研发及产业化人才，组建了顶尖的研发团队，在常关型、垂直沟道氮化镓功率器件等方面拥有多项独特技术发明。